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VIT5200-E3-4W	文件：133.49 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AC, ITO-220AC and TO-262AA package 文件：133.49 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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详细参数

型号：
VIT5200-E3-4W
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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