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VIT6045C

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in hi

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VishayVishay Siliconix

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VIT6045C

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VIT6045C

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

VIT6045CBP

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay

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VishayVishay Siliconix

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VIT6045CHM3

Trench MOS Schottky technology

文件:135.28 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

VIT6045CHM3

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件:128.36 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

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VIT6045CHM3-4W

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VishayVishay Siliconix

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VIT6045CHM3-4W

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件:132.24 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

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VIT6045C-M3

Trench MOS Schottky technology

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VIT6045C-M3

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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详细参数

  • 型号:

    VIT6045C

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全称:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更多VIT6045C供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00