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VIT3060G	文件：142.08 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3060G	文件：131.009 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting •Solderbathtemperature275°Cmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3060G	文件：148.87 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3060G	文件：148.87 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3060G-E3	文件：156.82 Kbytes Page：6 Pages	Low forward voltage drop, low power losses FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting •Solderbathtemperature275°Cmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3060G-E3	文件：202.15 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) •NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting •Solderbathtemperature275°Cmaxim	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3060GHM3-4W	文件：131.009 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting •Solderbathtemperature275°Cmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3060G-M3-4W	文件：131.009 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting •Solderbathtemperature275°Cmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3060G-E3/4W	文件：173.59 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3060G-E3SLASH4W	文件：173.59 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
VIT3060G
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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