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VIT3060G	文件：131.009 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Solder bath temperature 275 °C maximum 文件：131.009 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VIT3060G	文件：142.08 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：142.08 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VIT3060G	文件：148.87 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.87 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VIT3060G	文件：148.87 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.87 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VIT3060G-E3	文件：156.82 Kbytes Page：6 Pages	Low forward voltage drop, low power losses FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Solder bath temperature 275 °C maximum 文件：156.82 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VIT3060G-E3	文件：202.15 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Solder bath temperature 275 °C maxim 文件：202.15 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VIT3060GHM3-4W	文件：131.009 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Solder bath temperature 275 °C maximum 文件：131.009 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VIT3060G-M3-4W	文件：131.009 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Solder bath temperature 275 °C maximum 文件：131.009 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VIT3060G-E3/4W	文件：173.59 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：173.59 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VIT3060G-E3SLASH4W	文件：173.59 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：173.59 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

详细参数

型号：
VIT3060G
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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