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VI40100C-E3/4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 文件:167.8 Kbytes 页数:5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
VI40100C-E3/4W | Package:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO262 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 文件:167.8 Kbytes 页数:5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS barrier Schottky Rectifier 文件:157.14 Kbytes 页数:5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 文件:167.8 Kbytes 页数:5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY |
产品属性
- 产品编号:
VI40100C-E3/4W
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列:
TMBS®
- 包装:
管件
- 二极管配置:
1 对共阴极
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
20A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 150°C
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商器件封装:
TO-262AA
- 描述:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO262
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
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TO-262 |
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