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VI40120C	文件：141.48 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI40120C	文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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VI40120C-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO262	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VI40120CHM3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 40A 100V TO-262AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VI40120C-M3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 40A 100V TO-262AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
CGH40120F	文件：1.5883 Mbytes Page：13 Pages	120W,RFPowerGaNHEMT Description Cree’sCGH40120Fisanunmatched,galliumnitride(GaN)high electronmobilitytransistor(HEMT).TheCGH40120F,operating froma28voltrail,offersageneralpurpose,broadbandsolution toavarietyofRFandmicrowaveapplications.GaNHEMTsoffer highefficiency,highgainan	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
CGH40120F	文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages	120W,RFPowerGaNHEMT	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CGH40120F-AMP	文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages	120W,RFPowerGaNHEMT	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
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CGH40120P	文件：1.45256 Mbytes Page：12 Pages	120W,RFPowerGaNHEMT Description Wolfspeed’sCGH40120Pisanunmatched,galliumnitride(GaN) highelectronmobilitytransistor(HEMT).TheCGH40120P, operatingfroma28voltrail,offersageneralpurpose,broadband solutiontoavarietyofRFandmicrowaveapplications.GaN HEMTsofferhighefficiency,highga	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
CGH40120P-AMP	文件：1.035359 Mbytes Page：12 Pages	120W,RFPowerGaNHEMT	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
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详细参数

型号：
VI40120C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VI40120C供应商更新时间2024-5-3 16:00:00

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