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VI20120SG	文件：141.01 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20120SG	文件：166.5 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20120SG	文件：142.26 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20120SG	文件：160.88 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20120SG	文件：164.09 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20120SG	文件：124.67 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20120SG-E3	文件：161.39 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20120SG-E3/4W	文件：166.5 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20120SG-E3/4W	文件：162.45 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20120SG-E3-4W	文件：160.88 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20120SGHM3-4W	文件：142.26 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20120SG-M3-4W	文件：142.26 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20120SG-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VI20120SGHM3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-262AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VI20120SG-M3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-262AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
AOK20120XSD	文件：884.99 Kbytes Page：6 Pages	1200VαSiCSiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features •ProprietaryαSiCSchottkyBarrierDiodetechnology •Negligiblereverserecoverycurrent •Maximumoperatingjunctiontemperatureof175°C •Improvedswitchinglossesvs.Sibipolardiodes •Positivetemperaturecoefficientforeaseofparalleling Applications RenewableIndustr	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
CBD20120LCT	文件：52.63 Kbytes Page：2 Pages	LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CBD20120UFCT	文件：71.1 Kbytes Page：4 Pages	LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CBD20120VCT	文件：98.01 Kbytes Page：4 Pages	Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CBD20120VDC	文件：67.95 Kbytes Page：4 Pages	Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
VI20120SG
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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