VI20120SG-E3SLASH4W中文资料威世数据手册PDF规格书

厂商型号	VI20120SG-E3SLASH4W
功能描述	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
文件大小	166.5 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	Vishay Vishay Siliconix
中文名称	威世威世科技公司
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更新时间	2025-12-10 20:00:00
人工找货	VI20120SG-E3SLASH4W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-262AA package)

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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