VI10150C中文资料Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A数据手册Vishay规格书

厂商型号 |
VI10150C |
参数属性 | VI10150C 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-262AA |
功能描述 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A |
封装外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
中文名称 | 威世科技 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-30 10:13:00 |
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VI10150C规格书详情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.
技术参数
- 产品编号:
VI10150CHM3/4W
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列:
Automotive, AEC-Q101, TMBS®
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管配置:
1 对共阴极
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
5A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 150°C
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商器件封装:
TO-262AA
- 描述:
DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-262AA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-262-3 长引线 I?Pak TO-26 |
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