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VI10150C	文件：168.07 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO- 文件：168.07 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI10150C	文件：150.03 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：150.03 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI10150C	文件：131.96 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：131.96 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI10150C	文件：723.43 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：723.43 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI10150C	文件：130.4 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：130.4 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI10150C	文件：161.64 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.64 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI10150C-E3/4W	文件：168.07 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO- 文件：168.07 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI10150C-E3SLASH4W	文件：168.07 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO- 文件：168.07 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI10150C-E3/4W	文件：168.31 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：168.31 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI10150C-E3-4W	文件：161.64 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.64 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
VI10150C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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