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FRM234	文件：49.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FRM234D	文件：48.69 Kbytes Page：6 Pages	7A,250V,0.70Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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FRS234H	文件：49.8 Kbytes Page：6 Pages	5A,250V,0.715Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRS234R	文件：49.8 Kbytes Page：6 Pages	5A,250V,0.715Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSL234D	文件：46.03 Kbytes Page：8 Pages	4A,250V,0.610Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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FSPYE234F	文件：79.62 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs IntersilStarPowerRadHardMOSFETshavebeenspecificallydevelopedforhighperformanceapplicationsinacommercialormilitaryspaceenvironment.StarPowerMOSFETsofferthesystemdesignerbothextremelylowrDS(ON)andGateChargeallowingthedevelopmentoflowlossPowerSubsystems.Star	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSPYE234R	文件：79.62 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs IntersilStarPowerRadHardMOSFETshavebeenspecificallydevelopedforhighperformanceapplicationsinacommercialormilitaryspaceenvironment.StarPowerMOSFETsofferthesystemdesignerbothextremelylowrDS(ON)andGateChargeallowingthedevelopmentoflowlossPowerSubsystems.Star	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSS234	文件：29.28 Kbytes Page：4 Pages	DC/DCConverterApplications Features •LowON-resistance. •4.0Vdrive. •Ultrahigh-speedswitching.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FSS234D	文件：45.39 Kbytes Page：8 Pages	6A,250V,0.600Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSS234R	文件：45.39 Kbytes Page：8 Pages	6A,250V,0.600Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FT234XD	文件：1.20141 Mbytes Page：40 Pages	SinglechipUSBtoasynchronousserialdatatransferinterface	FTDIFuture Technology Devices International Ltd FTDIFuture Technology Devices International Ltd	FTDI
FT234XD	文件：695.44 Kbytes Page：37 Pages	TheFT234XDisaUSBtoserialUARTinterfacewithoptimisedpackaging(3mmx3mm12pinDFN)forsmallerPCBdesignsandthefollowingadvancedfeatures	FTDIFuture Technology Devices International Ltd FTDIFuture Technology Devices International Ltd	FTDI
FT234XDR	文件：695.44 Kbytes Page：37 Pages	TheFT234XDisaUSBtoserialUARTinterfacewithoptimisedpackaging(3mmx3mm12pinDFN)forsmallerPCBdesignsandthefollowingadvancedfeatures	FTDIFuture Technology Devices International Ltd FTDIFuture Technology Devices International Ltd	FTDI
FT234XD-R	文件：695.44 Kbytes Page：37 Pages	USBtoBASICUARTIC	FTDIFuture Technology Devices International Ltd FTDIFuture Technology Devices International Ltd	FTDI
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FX234	文件：8.07944 Mbytes Page：10 Pages	VSBAudioScrambler	CMLMICROCML Microcircuits CML公司	CMLMICRO

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详细参数

型号：
VI-234-EU-S
功能描述：
CONVERTER MOD DC/DC 48V 200W
RoHS：
否
类别：
电源 - 板载 >> DC DC Converters
系列：
*
设计资源：
VI-200, VI-J00 Design Guide, Appl Manual
标准包装：
1
类型：
隔离
输出数：
1 电压 -
输入（最小）：
200V 电压 -
输入（最大）：
400V Voltage - Output
1：
36V Voltage - Output
2：
- Voltage - Output
3：
- 电流 -
输出（最大）：
* 电源（瓦） -
制造商系列：
150W 电压 -
隔离：
*
特点：
*
安装类型：
通孔
封装/外壳：
9-FinMod
尺寸/尺寸：
4.60 L x 1.86 W x 1.05 H（116.8mm x 47.2mm x 26.7mm）
包装：
散装
工作温度：
-25°C ~ 85°C
效率：
* 电源（瓦特）-
最大：
*

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	VI-234-EV	VICOR	23+	模块	320	全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势!	询价
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	VI-234-EV	VICOR		模块	6000	原装现货,长期供应,终端可账期	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	VI-234-EV	VICOR	23+	MODULE	11700	优势原装现货假一赔十	询价
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更多VI-234-EU-S供应商更新时间2024-6-3 17:16:00

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