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VFT6045CBP中文资料Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A数据手册Vishay规格书

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厂商型号

VFT6045CBP

参数属性

VFT6045CBP 封装/外壳为TO-220-3 全封装,隔离接片;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V ITO220

功能描述

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A

封装外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-27 10:09:00

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VFT6045CBP规格书详情

描述 Description

分立

特性 Features

Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation

应用 Application

For use in solar cell junction box as a bypass diode for protection, using DC forward current without reverse bias.

技术参数

  • 产品编号:

    VFT6045CBP-M3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    TMBS®

  • 包装:

    管件

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    30A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    200°C(最大)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 全封装,隔离接片

  • 供应商器件封装:

    ITO-220AB

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V ITO220

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