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VFT4060C_V01

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

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威世科技威世科技半导体

VBT4060C_V01

DualTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C •NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance plea

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更多VFT4060C_V01供应商 更新时间2024-6-20 10:30:00