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VBT4060C_V01	文件：102.6 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Material categorization: for definitions of compliance plea 文件：102.6 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT4060C_V01	文件：128.919 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：128.919 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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更多VBT4060C_V01供应商更新时间2025-10-6 9:35:00