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VBT4060C_V01	文件：102.6 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C •NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance plea	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VBT4060C_V01

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Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C •NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance plea

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FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

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更多VBT4060C_V01供应商更新时间2025-5-8 15:30:00

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