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VFT3080S	文件：79.72 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.72 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VFT3080S-E3	文件：203.56 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, 文件：203.56 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VFT3080S-E3	文件：157.79 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Schottky technology FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, an 文件：157.79 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VFT3080S-M3	文件：128.06 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：128.06 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VFT3080S-M3_V01	文件：128.06 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：128.06 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VFT3080S-E3	文件：160.94 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.94 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VFT3080S-E3	文件：150.87 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：150.87 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VFT3080S-E3/4W	文件：148.44 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.44 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VFT3080S-E3SLASH4W	文件：148.44 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.44 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VFT3080S-M3	文件：89.28 Kbytes Page：4 Pages	High efficiency operation 文件：89.28 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

详细参数

型号：
VFT3080S
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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