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VF30150C-M3_V01	文件：127.68 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：127.68 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB30150C-M3_V01	文件：102.33 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICAT 文件：102.33 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VF526DT	文件：0 bytes Page：0 Pages	HONEYWELL SOT89	Honeywell 霍尼韦尔上传：深圳市粤科源兴科技有限公司	Honeywell
VFM-20A	文件：0 bytes Page：0 Pages	CUI NA	CUI 上传：深圳市恒佳微电子有限公司	CUI

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深圳市河锋鑫科技有限公司	VF30200CE3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Di	22+	ITO220AB	9000	原厂渠道,现货配单	询价
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更多VF30150C-M3_V01供应商更新时间2025-10-7 14:06:00