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VB30150C-M3_V01	文件：102.33 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICAT 文件：102.33 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VF30150C-M3_V01	文件：127.68 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：127.68 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB40120C-E3Z/I	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY/威世 NA	VISHAY/威世上传：深圳瞄钧科技有限公司	VISHAY/威世
VBPW34FASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY/威世 2-SMD	VISHAY/威世上传：深圳市华芯伟电子科技有限公司	VISHAY/威世

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深圳市河锋鑫科技有限公司	VB30200C	Vishay(威世)	2021/2022+	标准封装	6500	原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	VB30200C	VISHAY/威世	23+	TO-263	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市华康联电子科技有限公司	VB30200C	Vishay(威世)	23+	N/A	11800		询价
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更多VB30150C-M3_V01供应商更新时间2024-3-26 15:06:00