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VI20202G

DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-2

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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DualHighVoltageTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

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更多VF20202C供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00