Dual High Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 5.0 A

• Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified available: - Automotive ordering code: base P/NHM3

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Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 5.0 A

• Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified available: - Automotive ordering code: base P/NHM3

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Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 5.0 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

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Package：TO-220-3；包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：20A,200V,TRENCH SCHOTTKY RECT.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：20A,200V,TRENCH SCHOTTKY RECT.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division