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VF20200C-E3中文资料Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier数据手册Vishay规格书

厂商型号 |
VF20200C-E3 |
参数属性 | VF20200C-E3 封装/外壳为TO-220-3 全封装,隔离接片;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V ITO220 |
功能描述 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
封装外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
中文名称 | 威世科技 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 11:30:00 |
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VF20200C-E3规格书详情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters and reverse battery protection.
技术参数
- 产品编号:
VF20200C-E3/4W
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列:
TMBS®
- 包装:
管件
- 二极管配置:
1 对共阴极
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
10A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 150°C
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 全封装,隔离接片
- 供应商器件封装:
ITO-220AB
- 描述:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V ITO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
23+ |
ITO-220-3 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO220F |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
VISHAY |
20+ |
TO220F |
750 |
原装 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO220F-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2450+ |
TO220F |
6540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
VISHAY |
25+23+ |
TO-220 |
28410 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
VISHAY |
23+24 |
TO-220F |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-220F |
560 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
15+ |
TO-220F |
560 |
询价 |