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VF10150S-E3SLASH4W	文件：166.33 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) • Compo 文件：166.33 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF10150C	文件：78.64 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.64 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF10150C	文件：161.64 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.64 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF10150C	文件：723.43 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：723.43 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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VF10150C_15	文件：79.37 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.37 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF10150C-E3/4W	文件：168.31 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：168.31 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF10150C-E3-4W	文件：161.64 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.64 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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详细参数

型号：
VF10150
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

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