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VBT5200-E3	文件：146.27 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Schottky technology FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AC,ITO-220ACandTO-262AApackage	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VBT5200-E3-4W	文件：133.49 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AC,ITO-220ACandTO-262AApackage	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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VBT5200-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 5A 200V TO-263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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详细参数

型号：
VBT5200-E3
制造商：
Vishay Semiconductors
功能描述：
5A,200V,TRENCH SKY RECT.

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市明嘉莱科技有限公司	VBT5200-E3/8W	VISHAY/威世	24+	TO263	990000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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