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VBT5200-E3-8W	文件：133.49 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AC,ITO-220ACandTO-262AApackage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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VBT5200-E3-8W

文件：133.49 Kbytes

Page：5 Pages

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AC,ITO-220ACandTO-262AApackage

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

详细参数

型号：
VBT5200-E3-8W
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更多VBT5200-E3-8W供应商更新时间2025-5-25 11:00:00

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