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VBT5200-E3-8W

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AC, ITO-220AC and TO-262AA package

文件:133.49 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

详细参数

  • 型号:

    VBT5200-E3-8W

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全称:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更多VBT5200-E3-8W供应商 更新时间2025-10-10 11:00:00