VBT10202C-M3SLASH4W中文资料威世数据手册PDF规格书

厂商型号	VBT10202C-M3SLASH4W
功能描述	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A
文件大小	159.09 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	Vishay Vishay Siliconix
中文名称	威世
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数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-10-9 20:00:00
人工找货	VBT10202C-M3SLASH4W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

• Trench MOS Schottky technology Gen 2

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,

per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and

TO-262AA package)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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