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VBFB165R02S	文件：1.12135 Mbytes Page：12 Pages	N-Channel 650V (D -S) Super Junction Power MOSFET FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available 文件：1.12135 Mbytes 页数：12 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBFB165R02S	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Vbsemi 微碧半导体	Vbsemi
VBM165R02	文件：761.61 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：761.61 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBMB165R02	文件：776.28 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：776.28 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBMB165R02S	文件：1.12135 Mbytes Page：12 Pages	N-Channel 650V (D -S) Super Junction Power MOSFET FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available 文件：1.12135 Mbytes 页数：12 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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