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VBE16R02S中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

VBE16R02S

功能描述

N-Channel 600V(D-S) Super Junction Power MOSFET

文件大小

1.1204 Mbytes

页面数量

12

生产厂商

VBSEMI

中文名称

微碧半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 17:47:00

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VBE16R02S规格书详情

FEATURES

• Isolated Package

• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;

f = 60 Hz)

• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

• Dynamic dV/dt Rating

• Low Thermal Resistance

• Lead (Pb)-free Available

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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