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VB30M120C-E3SLASH4W	文件：105.26 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C 文件：105.26 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多VB30M120C-E3SLASH4W供应商更新时间2021-9-14 10:50:00