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VB30M120C-E3SLASH4W
厂商型号

VB30M120C-E3SLASH4W

功能描述

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

文件大小

105.26 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 14:14:00

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VB30M120C-E3SLASH4W规格书详情

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 245 °C

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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