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VB20120S-M3SLASH8W	文件：100.46 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) 文件：100.46 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多VB20120S-M3SLASH8W供应商更新时间2025-10-4 11:01:00