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厂商型号

VB20120S-M3SLASH8W

功能描述

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

文件大小

100.46 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世

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更新时间

2025-10-12 17:02:00

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VB20120S-M3SLASH8W规格书详情

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 245 °C (for TO-263AB package)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
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