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VB20100S-E3/8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

VB20100S-E3/8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

VB20100S-E3/8W

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

  • 产品编号:

    VB20100S-E3/8W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    TMBS®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    20A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AB(D²PAK)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO263AB

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更多VB20100S-E3/8W供应商 更新时间2025-5-18 16:12:00