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VB10150C-E3/8W	文件：168.07 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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VB10150C-E3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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VB10150C-E3/8W

文件：168.07 Kbytes

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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

VB10150C-E3/8W

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Page：5 Pages

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

VB10150C-E3/8W

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

产品编号：
VB10150C-E3/8W
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
系列：
TMBS®
包装：
管件
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
5A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263AB（D²PAK）
描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	VB10150C-E3/8W	Vishay General Semiconductor -	23+	TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片	30000	二极管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	VB10150C-E3/8W	Vishay	23+	TO263AB	33500	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
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更多VB10150C-E3/8W供应商更新时间2024-4-30 15:14:00

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