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VB10150C-E3/8W	文件：168.07 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO- 文件：168.07 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB10150C-E3/8W	文件：168.31 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：168.31 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB10150C-E3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VB40120C-E3Z/I	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY/威世 NA	VISHAY/威世上传：深圳瞄钧科技有限公司	VISHAY/威世
VBPW34FASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY/威世 2-SMD	VISHAY/威世上传：深圳市华芯伟电子科技有限公司	VISHAY/威世

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更多VB10150C-E3/8W供应商更新时间2021-9-14 10:50:00