High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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威世科技

High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 4 A

Very low profile - typical height of 1.1 mm\nTrench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses;

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Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：8A, 150V, SMPC TRENCH SKY RECT.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：8A, 150V, SMPC TRENCH SKY RECT.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：8A, 150V, SMPC TRENCH SKY RECT.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division