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V8PA10	文件：152.95 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 0.95 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive 文件：152.95 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V8PA10	文件：152.31 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：152.31 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V8PA10	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 分立 Very low profile - typical height of 0.95 mm\nIdeal for automated placement\nTrench MOS Schottky technology;	Vishay 威世	Vishay
V8PA10_V01	文件：152.95 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 0.95 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive 文件：152.95 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V8PA10HM3SLASHI	文件：152.31 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier • Very low profile - typical height of 0.95 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering 文件：152.31 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V8PA10-M3SLASHI	文件：152.31 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier • Very low profile - typical height of 0.95 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering 文件：152.31 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V8PA10HM3/I	文件：152.31 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：152.31 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V8PA10-M3/I	文件：152.31 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：152.31 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V8PA10HM3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-221BC，SMA 扁平引线裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V8PA10-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-221BC，SMA 扁平引线裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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深圳市科雨电子有限公司	V8PA10-M3/I	VISHAY	25+	DO-221	3675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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深圳市博中泰实业有限公司	V8PA10HM3	VISHAY/威世	24+	D0-221BC	60000		询价
万三科技(深圳)有限公司	V8PA10-M3/I	Vishay(威世)	25+	DO-221BC(SMPA)	500000	源自原厂成本,高价回收工厂呆滞	询价
深圳市德正通电子有限公司	V8PA10-M3/I	VISHAY	22+	DO-221BC	18000	只做原装正品	询价
深圳市天地昆电子有限公司	V8PA6HM3/I	VISHAY	22+	SMA	725	上传都是百分之百进口原装现货	询价
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更多V8PA10供应商更新时间2026-1-22 16:50:00

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