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V8PA10-M3/I

Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

文件:152.31 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

V8PA10-M3/I

Package:DO-221BC,SMA 扁平引线裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V8PA10-M3SLASHI

Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

• Very low profile - typical height of 0.95 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering

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VishayVishay Siliconix

威世科技

V8PAL45HM3_A/I

VISHAY
DO-221AB

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:深圳市宏浩通电子科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    V8PA10-M3/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    eSMP®, TMBS®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    850pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-221BC,SMA 扁平引线裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    DO-221BC(SMPA)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多V8PA10-M3/I供应商 更新时间2025-9-30 18:03:00