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PBHV8115Z

丝印:V8115Z;Package:SC-73;150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor

Features * High voltage * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * AEC-Q101 qualified * Medium power SMD plastic package

文件:248.66 Kbytes 页数:13 Pages

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安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

  • 型号:

    V8115Z

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TRANS HV BISS TAPE-7

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多V8115Z供应商 更新时间2025-9-7 14:14:00