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丝印:V8115Z;Package:SC-73;150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Features * High voltage * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * AEC-Q101 qualified * Medium power SMD plastic package 文件:248.66 Kbytes 页数:13 Pages  | NEXPERIA 安世  | NEXPERIA  | 
详细参数
- 型号:
V8115Z
 - 功能描述:
两极晶体管 - BJT TRANS HV BISS TAPE-7
 - RoHS:
否
 - 制造商:
STMicroelectronics
 - 晶体管极性:
PNP 集电极—基极电压
 - VCBO:
集电极—发射极最大电压
 - VCEO:
- 40 V 发射极 - 基极电压
 - VEBO:
- 6 V
 - 增益带宽产品fT:
直流集电极/Base Gain hfe
 - Min:
100 A
 - 安装风格:
SMD/SMT
 - 封装/箱体:
PowerFLAT 2 x 2
 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世  | 
25+  | 
SOT223  | 
600000  | 
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SOT223  | 
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NEXPERIA/安世  | 
2019+  | 
SOT-223  | 
78550  | 
原厂渠道 可含税出货  | 
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NEXPERIA/安世  | 
20+  | 
SOT-223  | 
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原装正品 可含税交易  | 
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恩XP  | 
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SOT223  | 
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            更新时间2025-11-4 14:14:00
        
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