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V62SLASH03639-04XE

丝印:V293EP;Package:LQFP;8192 × 18, 16384 × 18, 32768 × 18, 65536 × 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES

ControlledBaseline –OneAssembly/TestSite,OneFabrication Site ExtendedTemperaturePerformanceof –55°Cto125°C EnhancedDiminishingManufacturing Sources(DMS)Support EnhancedProduct-ChangeNotification QualificationPedigree† ChoiceofMemoryOrganizations –SN74V263–8192×1

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

V62SLASH03639-04XE

3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES

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更多V62SLASH03639-04XE供应商 更新时间2025-7-30 11:08:00