Low forward voltage drop, low power losses

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

• Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier VF = 0.43 V at IF = 5 A

·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

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肖特基二极管与整流器 60A,120V,TRENCH SKY RECT.

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Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 120V TO220

Vishay General Semiconductor - Diodes Division