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V60M120C-M3SLASH4W	文件：133.88 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 文件：133.88 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多V60M120C-M3SLASH4W供应商更新时间2025-10-4 23:00:00