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V60170PW-M3	文件：81.29 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：81.29 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V60170PW-M3	文件：94.16 Kbytes Page：4 Pages	High efficiency operation 文件：94.16 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V60170PW-M3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 10 A 分立	Vishay 威世	Vishay
V60170PW-M3_V01	文件：81.29 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：81.29 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V60170PW-M3_15	文件：84.14 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：84.14 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V60170PW-M3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3 整包；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO3PW	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
V60170PW-M3
功能描述：
肖特基二极管与整流器 60A 170V TrenchMOS
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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