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V60170PW-M3_V01	文件：81.29 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：81.29 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
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更多V60170PW-M3_V01供应商更新时间2025-10-9 15:31:00