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V60100C-E3/4W	文件：150.74 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A 文件：150.74 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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V60100C-M3	文件：136.51 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Schottky technology 文件：136.51 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V60100C-M3-4W	文件：133.06 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：133.06 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V60100C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A 分立 Trench MOS Schottky t echnology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	Vishay 威世	Vishay
V60100C-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
V60100C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多V60100C供应商更新时间2025-11-28 17:15:00

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