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V60100C	文件：131.2 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：131.2 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V60100C	文件：146.76 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：146.76 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V60100C	文件：133.06 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：133.06 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V60100C	文件：149.29 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.29 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V60100C_V01	文件：131.2 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：131.2 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V60100C_08	文件：150.74 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A 文件：150.74 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V60100C_09	文件：133.06 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：133.06 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V60100C_12	文件：146.76 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：146.76 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V60100C_15	文件：142.69 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：142.69 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V60100C_15	文件：121.76 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：121.76 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

详细参数

型号：
V60100C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多V60100C供应商更新时间2025-10-11 19:24:00

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