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V40100G_11	文件：131.76 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：131.76 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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V40100G-E3	文件：161.52 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.52 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100G-E3/4W	文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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V40100G-E3_15	文件：151.39 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：151.39 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100G-E3SLASH4W	文件：167.61 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 文件：167.61 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

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详细参数

型号：
V401
功能描述：
DIODE 40A 100V SCHOTTKY TO220-3
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列
系列：
-
其它有关文件：
STTH10LCD06C View All Specifications
标准包装：
1,000
系列：
- 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）：
2V @ 5A 电流 - 在 Vr
时反向漏电：
1µA @ 600V 电流 -
平均整流(Io)（每个二极管）：
5A 电压
-(Vr)（最大）：
600V
反向恢复时间(trr)：
50ns
二极管类型：
标准
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
二极管配置：
1 对共阴极
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：
D2PAK
包装：
带卷(TR)
产品目录页面：
1553(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
497-10107-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多V401供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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