V35PWM153中文资料High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
V35PWM153 |
| 参数属性 | V35PWM153 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：35A, 150V, DPAK_SL TRENCH SKY RE |
| 功能描述 | High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 14:35:00 |
| 人工找货 | V35PWM153价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
V35PWM153规格书详情
特性 Features
Very low profile - typical height of 1.3 mm
Trench MOS Schottky technology
Ideal for automated placement
应用 Application
For use in low voltage high frequency DC/DC converters, freewheeling diodes, and polarity protection applications.
技术参数
- 产品编号：
V35PWM153-M3/I
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
35A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
1.42nF @ 4V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
SlimDPAK
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 175°C
- 描述：
35A, 150V, DPAK_SL TRENCH SKY RE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LITTELFUSE/力特 |
24+ |
DIP |
88000 |
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询价 | ||
LITTELFUSE/力特 |
2018+ |
DIP |
88000 |
原装现货 |
询价 | ||
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24+ |
1210 |
8000 |
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VISHAY |
23+ |
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860000 |
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24+ |
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LITTELFUSE/力特 |
25+ |
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LITTELFUSE/力特 |
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