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V35DM120-M3/V35DM120HM3中文资料Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书
V35DM120-M3/V35DM120HM3规格书详情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology generation 2
Very low profile - typical height of 1.7 mm
Ideal for automated placement
应用 Application
oFor use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection in commercial, inductrial, and automotive application.
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SCITEC |
24+ |
14 |
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Vishay |
2022+ |
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Vishay |
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