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V30120S-E3	文件：216.68 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
V30120S-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
V30120S-E3	文件：731.92 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
V30120S-E3/ VF30120S-E3/ VB30120S-E3/ VI30120S-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 分立; ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation\n;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
V30120S-E3/45	文件：136.8 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
V30120S-E3/VF30120S-E3/VB30120S-E3/VI30120S-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A Trench MOS Schottky technology\n Low forward voltage drop, low power losses\n High efficiency operation\n\n \n;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
V30120S-E3_V01	文件：216.68 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
V30120S-E3SLASH45	文件：136.8 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
V30120S-E3/4W	文件：165.91 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
V30120S-E3/4W	文件：162.9 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体

详细参数

型号：
V30120S-E3
功能描述：
DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列：
TMBS®
标准包装：
100
系列：
-
二极管类型：
标准电压
-(Vr)（最大）：
50V 电流 -
平均整流(Io)：
6A 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）：
1.4V @ 6A
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)：
300ns 电流 - 在 Vr
时反向漏电：
15µA @ 50V 电容@ Vr,
F：
-
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装：
DO-203AA
包装：
散装
其它名称：
*1N3879

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	V30120S-E3	VIS	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	V30120S-E3	VISHAY/威世	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	V30120S-E3	VIS	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	V30120S-E3	VIS	23+	TO-220	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市威雅利发展有限公司	V30120S-E3	VIS	07+	TO-220	10000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	V30120S-E3	VISHAY/威世	24+	NA/	13745	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	V30120S-E3	VIS	22+	TO-220	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	V30120S-E3	VIS	25+	TO-TO-220	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市一线半导体有限公司	V30120S-E3/45	Vishay/GeneralSemiconduc	24+	TO-220AB	1495		询价
深圳诚思涵科技有限公司	V30120S-E3/45	VISHAY	18+	TO-263	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价

更多V30120S-E3供应商更新时间2025-8-1 13:01:00

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