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V30120S-E3/45

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:136.8 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

V30120S-E3/45

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V3021

SOP-8

EM

产品属性

  • 产品编号:

    V30120S-E3/45

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    TMBS®

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    30A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多V30120S-E3/45供应商 更新时间2025-12-1 14:14:00