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V30120S-E3/45	文件：136.8 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：136.8 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V30120S-E3/45	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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更多V30120S-E3/45供应商更新时间2026-1-31 17:25:00