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High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, 文件：216.01 Kbytes 页数：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 2 文件：168.27 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：142.54 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
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详细参数
- 型号：
V30120
- 制造商：
VISHAY
- 制造商全称：
Vishay Siliconix
- 功能描述：
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
18+ |
TO-220 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
VISHAY |
18+ |
TO-220F |
41200 |
原装正品,现货特价 |
询价 | ||
LINEAR/凌特 |
23+ |
MSOP8 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
VISHAY |
1932+ |
TO-220 |
265 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
VISHAY |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
原厂 |
22+ |
N/A |
20000 |
只做原装 |
询价 | ||
Vishay/GeneralSemiconduc |
24+ |
TO-220AB |
1495 |
询价 |
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