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V30100CI-M3SLASHP	文件：136.09 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V30100C_11	文件：140.91 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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V30100C-E3/4W	文件：163.53 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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V30100C-E3SLASH4W	文件：163.53 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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V30100CI	文件：136.09 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
V30100C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

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更多V30100C供应商更新时间2025-5-29 16:00:00

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