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V30100CI-M3SLASHP	文件：136.09 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：136.09 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100C_11	文件：140.91 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：140.91 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100C_12	文件：163.53 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.53 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100C_15	文件：165.17 Kbytes Page：6 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：165.17 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100C_15	文件：130.81 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：130.81 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100C-E3/4W	文件：163.53 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.53 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100C-E3_15	文件：152.56 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：152.56 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100C-E3SLASH4W	文件：163.53 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.53 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100CHM3-4W	文件：140.91 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：140.91 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100CI	文件：136.09 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：136.09 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

详细参数

型号：
V30100C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

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