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V30100CI-M3SLASHP	文件：136.09 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

•TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106

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更多V30100CI-M3SLASHP供应商更新时间2025-5-12 11:00:00